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现款收购KMWV50017M-B812,新旧好坏都要
英特尔预计其制造工艺节点技术将保持2年一飞跃的节奏，现款收购KMWV50017M-B812,新旧好坏都要从2019年的10纳米工艺开始，到2021年转向7纳米EUV（极紫外光刻），然后在2023年采用5纳米，2025年3纳米，2027年2纳米，最终到2029年的1.4纳米。这是英特尔首次提到1.4纳米工艺，相当于12个硅原子所占的位置，因此也证实了英特尔的发展方向。
或许值得注意的是，在今年的IEDM大会上，有些演讲涉及的工艺尺寸为0.3纳米的技术，现款收购KMWV50017M-B812,新旧好坏都要使用的是所谓的“2D自组装”材料。尽管不是第一次听说这样的工艺，但在硅芯片制造领域，却是首次有人如此提及。显然，英特尔(及其合作伙伴)需要克服的问题很多。
技术迭代和反向移植
在两代工艺节点之间，英特尔将会引入+和++工艺迭代版本，以便从每个节点中提取尽可能多的优化性能。唯一的例外是10纳米工艺，它已经处于10+版本阶段，所以我们将在2020年和2021年分别看到10++和10+++版本。英特尔相信，他们可以每年都做到这一点，但也要有重叠的团队，以确保一个完整的工艺节点可以与另一个重叠。
英特尔路线图的有趣之处还在于，它提到了“反向移植”（back porting）。现款收购KMWV50017M-B812,新旧好坏都要这是在芯片设计时就要考虑到的一种工艺节点能力。尽管英特尔表示，他们正在将芯片设计从工艺节点技术中分离出来，但在某些时候，为了开始在硅中布局，工艺节点过程是锁定的，特别是当它进入掩码创建时，因此在具体实施上并不容易。
不过，路线图中显示，英特尔将允许存在这样一种工作流程，即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上，然后是3纳米反向移植到5++，2纳米反向移植到3++上，依此类推。有人可能会说，这个路线图对日期的限定可能不是那么严格，我们已经看到英特尔的10纳米技术需要很长时间才成熟起来，因此，现款收购KMWV50017M-B812,新旧好坏都要期望公司在两年的时间里，在主要的工艺技术节点上以一年速度进行更新的节奏前进，似乎显得过于乐观。
请注意，当涉及到英特尔时，这并不是第一次提到“反向移植”硬件设计。由于英特尔10纳米工艺技术目前处于延迟阶段，有广泛的传闻称，英特尔未来的某些CPU微体系结构设计，最终可能会使用非常成功的14纳米工艺。
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