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深圳华强北手机内存芯片回收

2017/11/11 22:52:04      点击:
  由于苹果包下了三星、SK海力士、美光等三大厂第四季行为式DRAM产能,在产能架空效应发酵下,标准型、伺服器、利基型等DRAM持续缺货,第四季合约价顺利再涨6——10%,业界对下一年第一季冷季续涨5%已有高度一致,法人点名南亚科、华邦电、威刚将受惠最大。

  南亚科受惠于DRAM合约价顺利调涨,加上20纳米制程新产能全面开出,深圳华强北手机内存芯片回收昨(6)日公告10月吞并营收月增9.2%达50.72亿元,创下单月营收前史新高,与去年同期相较亦大增32.7%。华邦电及威刚没有公告10月营收,但法人豁达预估华邦电营收将介于43——45亿元间坚持高档,改写近17年来的单月营收新高,威刚10月吞并营收应可冲上30亿元大关,并改写4年来新高纪录。

  由于苹果第四季进入新款iPhone出货旺季,其间iPhone X全球大卖且超乎预期,苹深圳华强北手机内存芯片回收果已通知供应商将扩展收买存储器,三大DRAM厂的行为式DRAM产能已被包下,无剩下产能可供应给其它手机厂,导致行为式DRAM第四季合约价大涨10——15%起伏。

  在产能架空效应发酵下,标准型、伺服器、利基型等DRAM持续缺货,现货价已连涨6周,创下今年以来现货价最长涨势,缺货最严峻的4Gb DDR4颗粒现货价更已一举涨破5美元大关再创前史新天价。

  在现货价持续上涨下,第四季合约价顺利调涨6——10%,由于现货价及合约价之间溢价差高达3成,业界因此认为下一年第一季就算是存储器冷季,价格仍可望续涨5%。

  尽管近期商场传出三星可能扩展DRAM产能消息,深圳华强北手机内存芯片回收但三星日前法说会中已明晰表达并无此事。三星标明,2018年本钱开支虽大举提升至46.2兆韩元(约折合411.5亿美元),半导体本钱开支仅占64%,平泽厂(Pyeongtaek)新扩产能主要是因应弱小的3D NAND需求,以及集合在10纳米晶圆代工产能,下一年DRAM位元成长率将与商场均匀位元成长率适当。由此来看,三星仍没有大扩DRAM产能计画,也让其它DRAM厂大大松了一口气。

  事实上,存储器业界对2018年DRAM商场仍坚持吃紧市况观念,龙头大厂三星已在10月底通知通路商,第一季将再度调涨DRAM价格,行为式DRAM因需求弱小,价格涨幅将逾越5%。业界认为,三星在传统冷季敢调涨价格,闪现对2018年DRAM商场坚持豁达观念,也说明三星在扩产态度上十分操控,不会抛弃拉升DRAM获利以推升集团获利表现的战略,这有助于破除近期商场忧虑三星可能会扩产打乱DRAM工业次第的疑虑。